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SUD50P08-26
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C unless noted
60
0.05
0.04
T A = 125 °C
10
T J = 150 °C
T J = 25 °C
0.03
0.02
0.01
T A = 25 °C
1
0.00
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
0.00
4
5
6
7
8
9
10
3.7
3.4
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Source-Drain Diode Forward Voltage
60
50
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
3.1
I D = 250 μ A
40
2.8
30
2.5
2.2
1.9
20
10
1.6
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
175
0
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperature (°C)
Threshold Voltage
100
*Limited by
Time (sec)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100 μ s
10
1
0.1
0.01
0.001
r DS(on)
T A = 25 °C
Single Pulse
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
dc
0.1
1
10
100
1000
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
*V GS > minimum V GS at which r DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 73442
S-71661-Rev. B, 06-Aug-07
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